D’origine allemande, les MRAM sont de nouveaux dispositifs pour le stockage de bits de données à partir des charges magnétiques. À terme, cette mémoire vive magnétique devrait remplacer les différents types de RAM. Découvrez l’essentiel à savoir à propos de Magnetic Random Access Memory (MRAM).
Les avantages des MRAM
En termes de mémoire magnétique, les MRAM sont les nouveaux records avec multiples atouts.
Comparée aux SRAM et aux DRAM qui sont un peu volatiles, cette méthode de stockage est permanente. À l’arrêt d’une machine, les données ne sont plus à stocker sur le disque dur, ni à recharger. Le risque de pertes de données est amoindri et le temps du démarrage est rapide.
Un autre atout de taille, les MRAM sont plus ergonomiques. En d’autres termes, elles consomment moins d’énergie.
Alliant débit, rapidité et capacité, la MRAM est réputée comme étant la mémoire idéale et la plus pratique. Ce dispositif optimise également l’autonomie de la batterie de l’ordinateur.
Point sur les performances des MRAM
Bien que les MRAM soient encore en pleine amélioration, elles font déjà preuve de performances remarquables. L’écriture se fait en 10 nanosecondes, tandis que le cycle d’écriture et de lecture ne prend que 35 nanosecondes.
Par ailleurs, elles utilisent des débits de gigabit par seconde. Prochainement, un nouvel élément magnétorésistant avec un effet tunnel pourrait mener le stockage des MRAM à 10 Go.
Les techniques de stockage des MRAM
À l’inverse des autres RAM, le stockage des données des MRAM se fait par orientation magnétique et non par charge électrique. Les deux couches ferromagnétiques qui constituent chaque cellule permettent le stockage de données.
La Magnétorésistance est la technique de lecture utilisée par les MRAM. C’est la mesure de la résistance électrique de toutes les cellules qui permet la lecture d’informations. Alimenté, le transistor composant chaque cellule passe le courant par les deux couches ferromagnétiques.
Entre les électrons, un champ magnétique effectue le changement de spin par effet tunnel au niveau des couches ferromagnétiques.